MEMORIA RAM SILICON POWER 4GB DDR4 2666Mhz (1x4) CL19

Ref.:

Especificaciones técnicas

Propiedad	Especificación
CodArt	SIL110

Ref. Fabricante: SP004GBSFU266X02

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Descripción del producto

Silicon Power SP004GBSFU266X02. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19

Especificaciones

Características

Memoria interna	4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 4 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	Portátil
Forma de factor de memoria	260-pin SO-DIMM

Características

ECC	No
Latencia CAS	19
Voltaje de memoria	1.2 V
Retroiluminación	No
Certificación	CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)	84733020