SAMSUNG MZ-VAP1T0 SSD 1000GB M.2 14700MB/s PCI Express 5.0 NVMe

Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

Especificaciones

Empaquetado Tipo de embalaje Caja Características Interfaz PCI Express 5.0 Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES Tiempo medio entre fallos 1500000 h Tipo de memoria V-NAND TLC Velocidad de lectura 14700 MB/s Velocidad de escritura 13300 MB/s SDD, capacidad 1 TB Soporte S.M.A.R.T. Si Soporte TRIM Si Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS Lectura aleatoria (4KB) 1850000 IOPS Componente para PC/Consola de videojuegos Encriptación de hardware Si Factor de forma de disco SSD M.2 Características NVMe Si Versión NVMe 2.0 Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) Función DevSleep Si Carriles datos de interfaz PCI Express x4 Peso y dimensiones Peso 30 g Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C Peso y dimensiones Altura 25 mm Condiciones ambientales Golpes en funcionamiento 1500 G Peso y dimensiones Ancho 80,2 mm Profundidad 8,88 mm Control de energía Voltaje de operación 3,3 V Consumo eléctrico promedio (lectura) 7,6 W Consumo eléctrico promedio (escritura) 7,2 W Otras características Periodo de garantía 5 año(s)